Verbesserung der Kristallqualität von GaN-Einkristallen

Die Eigenschaften von Galliumnitridvolumenkristallen werden entscheidend durch das Vorhandensein ausgedehnter Kristalldefekte beeinflusst. Um den Züchtungsprozess optimieren zu können, ist ein vertieftes Verständnis der Defektbildung erforderlich. Es werden transmissionselektronenmikroskopische Untersuchungen zu Charakterisierung von Versetzungen, Ausscheidungen und anderer Defekte in gewachsenen Volumenkristallen angestellt. Diese Experimente werden ergänzt durch gezielte Deformationsexperimente bei verschiedenen Temperaturen. Die elektronenmikroskopischen Untersuchungen werden mit Positronenannihilationsmessungen korelliert, um Aussagen zur Bildung leerstellenartiger Defekte zu gewinnen.