Wechselwirkung von Punktdefekten und Versetzungen in Verbindungshalbleitern

Wechselwirkungsprozesse zwischen Liniendefekten und Fremdatomen (Dotierungs- bzw. Verunreinigungselemente) werden in den Verbindungshalbleitern GaAs und InP aufgeklärt. Die Kinetik der Defektbildung im Zuge der Eindiffusion von Schwefel oder Eisen und anschließender Wafertemperung soll auf mikroskopischem Niveau studiert werden, um daraus geeignete Prozeßschritte für die Herstellung homogener Substrate ableiten zu können. In den geplanten Experimenten wird die Fragestellung untersucht, welche Rolle intrinsische Defekte (Leerstellen), Zwischengitteratome und Antisites) bei der Kompensation sowie bei der Ausbildung einer ausgedehnten "Defektzone" um Versetzungen nach gezielter thermischer Behandlung im Vakuum oder unter spezifischer Dampfatmosphäre spielen. Die gebildete Defektzone kann wiederum über den mikroskopischen Diffusionsmechanismus der Fremdatome Aufschluss geben.

The interaction processes between line defects and impurities are investigated in the compound semiconductors GaAs and InP. The kinetics of defect formation during in-diffusion of sulfur or iron and subsequent wafer annealing is studied on a microscopic level in order to derive appropriate treatments in the manufacturing of homogeneous substrates. The role of intrinsic defects (vacancies, interstitials, antisites) in compensation and in the formation of an extended defect zone around dislocations after intentional thermal treatment in vacuum or under a specific vapor atmosphere is investigated in the experiments. The defect zone formed may elucidate the microscopic diffusion mechanism of impurities.