Plastische Deformation von GaAs bei verschiedenen Temperaturen
Projektleiter:
Projektbearbeiter:
V. V. Mikhnovich
Finanzierung:
Forschergruppen:
Gegenstand des Projektes ist der Vergleich der Verformungsmechanismen bei Temperaturen nahe des Schmelzpunktes mit einer Raumtemperaturdeformation, wo das Material eigentlich spröde ist. Der unterschiedlichen Prozesse des Versetzungsgleitens sollten verschiedene Generationsmechanismen von intrischen Punktdefekten zur Folge haben, die spektroskopische erfasst werden sollen.
Schlagworte
Defekt, Deformation, Elektronenmikroskopie, Halbleiter, Spektroskopie, Versetzungen
Kontakt
PD Dr. Hartmut Leipner
Martin-Luther-Universität Halle-Wittenberg
Naturwissenschaftliche Fakultät II
Interdisziplinäres Zentrum für Materialwissenschaften
Heinrich-Damerow-Str. 4
06120
Halle (Saale)
Tel.:+49 345 5528473
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