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Realisierung von Photonic-Bandgap Strukturen auf GaN-basierten LED-Schichten auf Silizium
Finanzierung:
Fördergeber - Sonstige;
Eine Verbesserung der Lichtauskopplung von GaN basierten LED Strukturen soll mittels Nanostrukturierter Oberflächen erzielt werden. Dazu werden MOCVD gewachsene Schichten mit nanometergroßen Polystyrolkugeln beschichtent und anschließend geätzt.

Schlagworte

LED GaN
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