Dreidimensionales Kristallwachstum im hexagonalen Kanal: isotrope Oberflächenspannung

Dreidimensionales Kristallwachstum im hexagonalen Kanal wird mithilfe einer Phasenfeldmethode simuliert. Die Diskretisation in den hexagonalen Ebenen erfolgt auf einem Dreiecksgitter, um Anisotropieeffekte zu minimieren, denn zunächst soll für Referenzzwecke der Fall isotroper Oberflächenspannung untersucht werden. Es wird für verschiedene Kapillaritätslängen die Wachstumgsgeschwindigkeit als Funktion der Unterkühlung gemessen. Wir finden Übergänge von symmetrischen zu asymmetrischen Fingern und vom Einzelfinger zu multiplen Fingern, die bei kleinen Kanaldurchmessern (Nanokanäle!) stationär sind, bei großen oszillatorisch. Bei sehr hohen Unterkühlungen tritt chaotisches Verhalten auf.