BMBF Verbundprojekt: "Effiziente, kostengünstige InGaN-Lichtquellen auf Silizium-Substraten für die Allgemeinbeleuchtung"

Teilvorhaben: "Mikro-optische und strukturelle Charakterisierung von GaN-auf-Silizium Strukturen und HVPE Wachstum von GaN-auf-Silizium"
Die Arbeiten an der Otto-von-Guericke-Universität beinhalten drei wesentliche Arbeitspakete, welche von 2 Arbeitsgruppen (Prof. Krost, Prof. Christen) gemeinsam bearbeitet werden sollen: Einerseits wird Expertise und Methodik umfangreicher, im Detail aufeinander abgestimmter und sich gegenseitig ergänzender Charkterisierungsmethoden eingebracht, die zugleich auch allen Partnern zur Verfügung gestellt wird. Dies beinhaltet zum einen die detaillierte strukturelle Schicht-charakterisierung mittels röntgenographischer Verfahren wie beispielsweise hochauflösende XRD, grazing incidence diffraction, tiefenaufgelöste Röntgenbeugung, Reflektometrie, wafer-mapping,
hoch-ortsaufgelöste XRD (dx < 1µm), reciprocal space mapping, u.a.. Hierzu stehen neun speziell ausgerüstete Röntgensysteme zur Verfügung (Arbeitsgruppe Krost). Zum anderen werden diese komplenentär ergänzt optische und insbesondere hochortsaufgelöster optische Methoden wie spektral-ortsaufgelöste Raster-µ-Elektrolumineszenz (dx < 1 µm), spektral-ortsaufgelöste Raster- Photolumineszenz (µ-PL: dx < 500 nm, PL-wafer-mapping: 6-Zoll wafer), spektral-orts-zeit-aufgelöste
Kathodolumineszenz (dt < 35 ps, dx < 45nm), (Arbeitsgruppe Christen).