Nachweis tiefer Störstellen un GaN und in GaN-basierten Mischsystemen mit Photokapazitäts-und optischen Admittanzspektroskopie

Das Halbleitermaterial GaN ist in das Zentrum des wissenschaftlichen und kommerziellen Interesses als Basismaterial für blaue LED- und Laserdioden gerückt. Besonders wichtig für die Eigenschaften dieses Materials, insbesondere für jegliche Bauelementeanwendungen, sind tiefe Störstellen. Ziel unserer Untersuchungen ist es, tiefe Störstellen in der Nähe der Gapmitte im GaN und in GaN-basierten Mischsystemen nachzuweisen und zu charakterisieren. Der Nachweis tiefer Störstellen erfolgt mittels Photokapazitätsmessungen und mit Hilfe der optischen Admittanzspektroskopie. Die gefundenen Störstellen sollen hinsichtlich ihrer optischen Übergangsenergien, ihrer Photoionisationsquerschnitte, sowie deren spektralen Abhängigkeit charakterisiert werden. Die Kinetik dieser Störstellen wird hinsichtlich ihres Umladungsverhaltens, bestehender Ladungs- und metastabiler Zustände, sowie hinsichtlich der Bedingungen zu deren Bildung und Vernichtung untersucht. Weitergehende Messungen erfolgen zudem an GaN-basierten Mischsystemen, wie AlGaN und InGaN und an darauf aufbauenden optoelektronischen Bauelementen.