Hochfrequenzschalter in Oberflächenmikromechanik für Mobilfunkanwendungen

Ziel des hier vorgeschlagenen Promotionsvorhabens ist die Herstellung und Charakterisierung mikromechanischen HF-Schaltern in CMOS-kompatibler Fertigung, deren Einsatz auf die Mobilfunktechnik zielt. Im Rahmen des Vorhabens werden mikromechanische Schalter mit ohmscher und kapazitiver Kopplung von Ein- und Ausgangssignal unter Verwendung von Teilprozessen der Siliciumoberflächen-Mikromechanik in CMOS kompatibler Herstellungsweise entwickelt. Diese Schritte werden so gestaltet oder im technologischen Ablauf so angeordnet, dass sie den CMOS-Prozess nicht beeinträchtigen.Dabei liegt der Schwerpunkt einerseits auf der Entwicklung geeigneter Schalterstrukturen mit hoher Zuverlässigkeit und Lebensdauer sowie hohem Schaltvermögen und sehr guter Dynamik und andererseits auf der Entwicklung von Prozessschritten, um diese Schalter effektiv herstellen zu können. Ein Ansatz für die Realisierung mikromechanischer Baugruppen in Technologien zur Schaltkreisherstellung ist, am Ende des IC-Prozesses mechanische und Opferschichten bei niedrigen Temperaturen abzuscheiden und zu strukturieren. Dazu sind Untersuchungen zu den Materialien und den mit ihnen erreichbaren Schaltereigenschaften durchzuführen.