Wachstum von Gruppe III-Nitrid Bauelementen auf Silizium Substraten

Im Rahmen dieses Projekts werden GaN-basierte Lichtemitter- und Transistorstrukturen mittels Metallorganischer Gasphasenepitaxie (MOCVD) auf Silizium Substraten hergestellt. Dabei soll insbesondere die normalerweise auftretende Rißbildung von GaN mit Dicken oberhalb von 1 mikron auf Si verhindert werden. Ziel ist es unter anderem GaN basierte Schichten mit bauelementrelevanten Schichtdicken von mindestens 3 mikron rißfrei auf Silizium abscheiden zu können.