In Siliciumoberflächen-Mikromechanik hergestelltes infrarotempfindliches Detektorarray

Das Vorhaben beinhaltet die CMOS-kompatible Herstellung eines im langwelligen Infrarotbereich empfindlichen Detektorfelds mit 6 x 8 Bildpunkten, wobei Prozeßschritte der Siliciumoberflächen-Mikromechanik Verwendung finden. Als Infrarot-Detektoren kommen miniaturisierte Thermosäulen zum Einsatz, die aus Ketten von hoch p- und n-dotiertem polykristallinen Silicium bzw. Aluminium und hochdotiertem polykristallinen Silicium bestehen. Die heißen Kontaktstellen befinden sich dabei auf einer dünnen Membran aus Siliciumnitrid, die durch Gasphasenätzung einer Opferschicht geschaffen wurde. Darauf wird eine infrarotaktive Absorberschicht niedergeschlagen. Damit jeder Bildpunkt parallel ausgelesen werden kann, wird jeder über eine in das Substrat eingelassene Verdrahtungsebene kontaktiert. Dabei sind geeignete CMOS-kompatible Prozeßschritte für die Verdrahtungsebene, die Membranerzeugung, die Absorberschicht und die Thermoelementeketten zu entwickeln. Das Vorhaben orientiert sich an einer praxisrelevanten Aufgabenstellung der Infrarotmeßtechnik im unteren Preissegment.